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苏灿电加热装置绝缘柵双极型晶体管特性简介
A IGBT的结构 符号和特性
IGBT是栅极为MOS构造，同时兼有VMOS的高输入阻抗、高速和双极晶体管的低通态压降特性的自关断型混合功率器件，它的结构和等效电路。与图1-2-4相比可知，IGBT是将VMOS漏极的N+层换成P+层而成。工作时，由P+层向高阻层注入空穴，产生电导调制，使它的通态电阻大大降低，为VMOS的十多分之一，达到双极晶体管的水平。
IGBT的工作原理与VMOS相似。当集-射极间加有正向电压时，栅-射极间一旦加上正电压，在常近栅极的P+层便会因感生电子而形成N沟道，于是从集电极P+—N-—N沟道层内）-N+射极流过集-射极电流Ice。该电流大小，必定与N沟道的宽度成正比，也即与栅-射极间正向电压认^成正比。如果栅射极间加的不是正电压，而是负电压，则不会形成N沟道，集射极电流便无法流通，而成截止状态。
IGBT的结构与晶闸管一样，存在PNPN四层结构。事实上，从等效电路可知，确实存在寄生晶闸管（由T1、T2组成）。但在设计制造器件时，要考虑尽量避免器件以晶闸管的方式进行工作，采取减小R值，减少丁作电流密度，使T2不工作，作即可达到目的。因为一旦工作电流密度大，等效电阻尺上的压降增大，会从射极N+层向栅极P+层注入电子，使T2导通，进而使寄生晶闸管导通而失控，即栅极失去控制能力。此外，当过高时，也会在集栅极的结电容中引起较大的位移电流，使IGBT产生动态擎住效应而失控。
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