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惠龙电加热装置VMOS的使用注意事项
（1）栅-源极间应加过电压保护。由于漏源电压的正向或负向突变会通过极间电容耦合到栅极，使栅-源间产生正向或负向浪埔电压，击穿栅极氧化层，造成栅极永久性损坏；或由于漏-源极间的du/、dt过大，引起误导通，而需加保护。保护的方法是适当降低栅极驱动电路的阻抗；在栅-源极间并联电阻、电容或稳压二极管，一般取稳压二极管的稳压值为14-19V。
（2）注意漏-源极间反并联二极管的反向恢复时间要比VMOS本身的开关速度慢，一般为1-2μs，而VMOS本身的开关时间都在几百似以下。
（3）在漏-源极间或主电路的适当部位加阻容吸收电路，以防漏-源极间承受过电压尖峰而损坏。
（4）VMOS的单管电流容量小，几乎都必须并联使用，这时应尽量使各并联支路平衡、对称，并力求有相同的散热条件。为了防止寄生振荡，各器件的栅极应分别串接合适的小电阻或小磁环。串联的电阻值过大，会使开关速度慢，损耗增加，过小则效果不好，一般从几十到几百Ω。此外，还应尽量缩短连接线或缩小电流环路的面积，采用双绞线和板式接地结构，以及在局部加接去耦电容。
（5）VMOS与IGBT具有相同的输入特性，栅极最高允许电压都是±20V，因此，市售的驱动电路在它们之间完全通用，这点将在介绍IGBT时再予以说明。
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